第36回表面分析研究会プログラム(2011.2.1 現在)
開催日時: 2011年 2月 3日(木) 13:00 ~ 4日(金) 16:00(予定) 開催場所: 大阪大学中ノ島センター
第1日目: 2 月 3 日(木)
12:30 ~ 13:00 受付 13:00 ~ 13:10 開会挨拶 一般講演 13:10 ~ 13:40 「原子間力顕微鏡を用いた遷移金属酸化物におけるメモリ効果の機構解明」 木下 健太郎(鳥取大学) 13:40 ~ 14:10 「カーボンの耐酸化特性のXPS評価」 中村 和正(福島大学) ワーキンググループ 14:10 ~ 16:50 ワーキンググループ討議(詳細はこちら) 16:50 ~ 17:00 会場整理 17:30 ~ 19:30 懇親会 19:30 ~ 21:30 ソフトウェア勉強会(希望者のみ:詳細はこちら)
第2日目: 2 月 4 日(金)
09:15 ~ 09:30 受付 一般講演 09:30 ~ 10:10 「スペクトル強度分散評価 -XPSでのRRTの最終報告、およびAESでの
予備検討の現状-」福島 整((独) 物質・材料研究機構) 10:10 ~ 10:30 「Ag酸化物のAg 3d のケミカルシフトの解析」 福島 整((独) 物質・材料研究機構) 10:30 ~ 10:50 休憩 10:50 ~ 11:20 「角度可変反射電子エネルギー損失分光スペクトルからの因子分析を用いた解析
~Ⅲ族-Ⅴ族半導体(GaSb,GaP,GaN)におけるエネルギー損失関数の解析~」田中 肇((独) 物質・材料研究機構) 11:20 ~ 11:50 「高分子TOF-SIMSスペクトルのG-SIMSによる解析」 青柳 里果(島根大学) 11:50 ~ 13:20 昼食 ワーキンググループ 13:20 ~ 15:20 ワーキンググループ討議と報告(詳細はこちら) 15:20 ~ 15:30 連絡・挨拶
敬称略
以上
変更がありましたら、そのつどご案内いたします。
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