第30回表面分析研究会プログラム

「表面分析関連技術の新たな展開」
2007年6月18日(月)13:30〜6月19日(火)15:15
6月18日(月)
12:30〜13:00 参加受付
13:00〜13:05 開会挨拶 柳内克昭(TDK)
13:05〜14:45 テーマ講演「表面分析関連技術の新たな展開」第1部 (2件:講演40分+質疑10分)
「二次の非線形光学像で観察する固体表面と植物」 水谷五郎(北陸先端科学技術大学院大学)
「超高真空SEMから低真空SEMまで 」 関口隆史(物質・材料研究機構)
−休憩(15分)−
15:00〜16:30 テーマ講演「表面分析関連技術の新たな展開」第2部 (3件:講演25分+質疑5分)
「大気中光電子分光装置の概要」 中島 嘉之(理研計器)
「AESによる酸化鉄の状態分析」 堤 建一(日本電子)
「最近のToF-SIMS」 奥平 秀和 (日立ハイテクトレーティング)
−休憩(10分)−
16:40〜17:40 テーマ講演「表面分析関連技術の新たな展開」第3部 (2件:講演25分+質疑5分)
「真空紫外光による表面洗浄」 佐々木 亘 (NTP)
「クロスセクションポリッシャー(CP)の表面分析前処理への応用」 中村佳澄 (昭和電工)
18:30〜20:30 懇親会(夕食)
20:30〜22:00 プロジェクト討議
6月19日(火)
09:00〜09:50 平成19年度 VAMAS-TWA2の活動について VAMAS-TWA2国内対応委員会
−休憩(10分)−
10:00〜11:30 プロジェクト報告および全体討議(90分)(2件:講演20分)
「シリコン酸化物の電子線損傷現象の試料間の差異」 森 行正(日本ガイシ)
「XPS測定時の損傷評価と標準物質に関するラウンドロビンテスト」 鈴木 昇(宇都宮大学)
各プロジェクトからの報告 各プロジェクトリーダー
−昼食(90分)−※研究会では準備致しませんので、各自でお取り下さい
13:00〜14:00 基礎講座(講演50分+質疑10分)
「オージェ分析の歴史-3」 田中 彰博(アルバック・ファイ)
14:00〜15:00 話題提供(2件:講演20分+質疑10分)
「固体元素中における50 - 30,000eVのエネルギー範囲における電子阻止能のエネルギー依存性」 熊谷和博(筑波大学)
「何を補正の手かがりにするか −金属Si Si 2pスペクトルのシフト−」 福島 整(物材機構)
15:00〜15:10 連絡事項
15:10〜15:15 閉会挨拶 田沼繁夫 (会長:物質・材料研究機構)

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