| P-1 |
| 絶縁物を含む断面試料の観察・AES分析におけるFIBデポジション機能利用 |
| ○白井 詩織，佐藤 美知子 |
| 富士通分析ラボ株式会社 |
|
| P-2 |
| FIBのデポジション機能を用いた絶縁材料の帯電補正 |
| ○白村和香子，柳内克昭，千原 宏 |
| TDK株式会社 |
|
| P-3 |
| Ar+イオンガンを用いたオージェ電子分光法による絶縁物測定法の検討 |
| ○荻原俊弥，茂木カデナ，鈴木峰晴 |
| NTTアドバンステクノロジ（株） |
|
| P-4 |
| 絶縁物AES微小部分析における低速Arイオンビーム照射の効果(1) |
| ○漆原宣昭，眞田則明，星孝弘，大岩烈 |
| アルバック・ファイ |
|
| P-5 |
| 絶縁物表面の電子線誘起表面電位及びチャージアップ量の定量測定 |
| 水原 譲，辻田 卓司，○永富 隆清，高井 義造 |
| 阪大院工 |
|
| P-6 |
| 斜め研磨法を適用した鉛フリーハンダ接合部の解析 |
| ○石川信博，木村隆，田沼繁夫，杉崎敬 |
| 分析ステーション，物質・材料研究機構（杉崎のみメルテックス（株）） |
|
| P-7 |
| イオン注入によるウスタイトの構造変化 |
| ○石川信博，三石和貴，長谷川明，古屋一夫，渡辺義見，稲見隆 |
| 物質・材料研究機構，信州大学*，茨城大学** |
|
| P-8 |
| XPSを用いたPd/Mg水素吸蔵触媒の深さ分析 |
| ○伊藤幸一，樋口浩一，藤井博信 |
| 広島県立西部工業技術センター，広島大学 |
|
| P-9 |
| 極薄酸化膜の高機能XPSによる評価 |
| ○眞田則明，王道元，星孝弘，大岩烈，佐々木公洋* |
| アルバック・ファイ，金沢大院* |
|
| P-10 |
| Arイオン照射したTiO2のTi 2p XPSスペクトルの経時変化に対する定式化 |
| ○橋本哲，櫻田委大，村田亜紀，田中彰博 |
| 鋼管計測（株），アルバック・ファイ（株） |
|
| P-11 |
| XPS測定時におけるハロゲン化アルキル基の分解速度 |
| ○白鳥 翼，塚本直人，飯村兼一，加藤貞二，鈴木 昇 |
| 宇都宮大学工学研究科 |
|
| P-12 |
| XPS分析の試料損傷における中和機構の影響 |
| ○當麻 肇 |
| 株式会社日産アーク |
|
| P-13 |
| 高エネルギー型X線アノードによるXPS分析 |
| ○當麻 肇，佐藤 誓 |
| 株式会社日産アーク |
|
| P-14 |
| 放射光を用いたすれすれ入射でのXPS多層膜測定 |
| ○吉川英樹，木村昌弘，ブライク ミハイ，田中彰博1)，藤方潤一2)，大橋啓之2)，福島整 |
| 物質・材料研究機構，アルバックファイ1)，NEC基礎研2) |
|
| P-15 |
| XPSを用いた表面XANES測定時の実験的課題 |
| 〇木村 昌弘，吉川 英樹，VLAICU Aurel Mihai，田中 彰博*，福島 整 |
| 物質・材料研究機構，アルバックファイ* |
|
| P-16 |
| SPring-8 BL15XUの大型角度分解光電子分光装置 |
| 〇福島整1，吉川英樹1，木田義輝2，田中彰博2，木村昌弘1，渡邉勝巳2，A.M.Vlaicu1，二澤宏司1，奥井眞人1，八木信弘1，北村優1，田口雅美2，大岩烈2 |
| 1:独立行政法人物質・材料研究機構 2:アルバック・ファイ株式会社 |
|
| P-17 |
| Au表面における吸着炭素C1sのエネルギーシフト |
| ○小泉 あゆみ，佐藤 美知子*，高野 みどり**，山内 京子*** |
| 新光電気工業(株)，富士通分析ラボ(株)*，(株)松下テクノリサーチ**，日本板硝子テクノリサーチ(株)*** |
|
| P-18 |
| パラレルXPSイメージングを用いた新しい測定法とデータ解析法 |
| ○高橋和裕，吉田能英，山口道生，A.J. Roberts |
| クレイトス アナリティカル リミテッド |
|
| P-19 |
| XPSイメージングのNaF，NaCl混合物への応用とその結合エネルギー軸の較正 |
| ○吉田能英，高橋和裕，山口道生，A.J. Roberts |
| クレイトス アナリティカル リミテッド |
|
| P-20 |
| AESによるSiO2/Si試料表面の電子線照射損傷の定量的評価（Ⅱ） |
| ○木村 隆，田沼 繁夫，井上 雅彦*，鈴木 峰晴**，橋本 哲***，三浦 薫**** |
| 物・材機構，摂南大学*，NTT-AT**， 鋼管計測***，トクヤマ（株）**** |
|
| P-21 |
| フィールド・エミッション電子銃を搭載した高分解能EPMAの開発 |
| ○木村 隆，西田 憲二，田沼 繁夫，山田 浩之* |
| 物・材機構，日本電子（株）* |
|
| P-22 |
| Cu自然酸化皮膜の化学状態分析 -AESとXPSの比較- |
| ○阿部 芳巳 |
| シーエーシーズ（株）横浜センター |
|
| P-23 |
| 電子衝撃による連続，特性，傾向X線発生のモンテカルロシミュレーションによる研究 |
| ○日比 孝明，永富 隆清，木村 吉秀，高井 義造，粟田 正吾，万木 利和，大堀
謙一 |
| 大阪大学大学院工学研究科物質・生命工学専攻 |
|
| P-24 |
| 電子，X線励起による二次電子像コントラストの比較 |
| ○境 悠治 |
| 日本電子（株）営業販促G |
|
| P-25 |
| ＡＥＳの空間分解能に及ぼす背面散乱電子の影響 |
| ○西澤 真士，山本 洋司，佐藤 裕子，照喜名 伸泰，木村 幸司，坂部 行雄 |
| (株)村田製作所 |
|
| P-26 |
| CL-FESEMを用いたポーラスシリコンの発光特性に関する研究 |
| 〇小嶋 達也，松尾 浩，木村 吉秀，高井 義造 |
| 大阪大学大学院工学研究科物質・生命工学専攻 |
|
| P-27 |
| ＢＮデルタドープ多層膜標準試料のＳＩＭＳによる解析 |
| ○東條ニ三代，吉川住和，本間芳和，竹中久貴，林俊一，井上雅彦，後藤敬典，志水隆一 |
| ㈱松下テクノリサーチ |
|
| P-28 |
| 弾性散乱分光法により測定したIMFPのFanoプロットを用いた解析 |
| ○田沼繁夫，木村隆，後藤啓典*，一村信吾** |
| 物質・材料研究機構，*名工大，**産総研 |
|
| P-29 |
| 製法の異なるＡｕのスパッタエッチングレート測定 |
| ○新谷龍二，荒木祥和，表面分析研究会ＳＥＲＤプロジェクト |
| 住友金属テクノロジー（株），（株）日産アーク |
|
| P-30 |
| 表面分析法による0.1mmピッチ４探針抵抗測定用試作ファインプローブの評価 |
| ○荻原俊弥，佐藤芳之，金沢美保，清田茂男１，渡辺喜隆１，松林信行２，松本智３，鈴木峰晴 |
| ＮＴＴアドバンステクノロジ，清田製作所1，産業技術総合研究所2，慶應義塾大学3 |
|
| P-31 |
| ＰＥＥＭによる仕事関数の絶対計測；標準ＡＥＳのために |
| ○後藤敬典，李万燕，姜永忠，加藤亮一，*志水隆一 |
| 名古屋工業大学，*大坂工業大学 |