目次  JSA Vol.16 No.3 (2010) 186 - 233
A-97 ? A-165


巻頭言

表面分析装置使用の体験記

技術報告

ToF-SIMS における冷却測定-有機材料表面の測定における繰り返し性の向上-

連載(講義)

光電子分光法 III 拡張励起によるサテライト

談話室

第17 回2 次イオン質量分析国際会議 (SIMS XVII) 参加報告
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編集後記

2009年度実用表面分析講演会 (PSA-09) 講演資料

P-1 半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置のジオメトリー特性と傾斜ホルダーを利用した
    超高深さ分解能オージェ深さ方向分析
P-2 AES による絶縁物試料の分析手法
P-3 実験室系硬X 線光電子分光分析装置の開発
P-4 マルチアノードXPS によるSiO 粉末試料の解析
P-5 各種汎用ポリマーのC60+イオンエッチング速度
P-6 有機材料のTOF-SIMS デプスプロファイリングにおけるC60 イオンの入射角依存性
P-7 帯電液滴衝撃(EDI)/SIMS による金属酸化膜の深さ方向分析
P-8 帯電液滴衝撃(EDI)-SIMS を用いたポリカ-ボネート(PC)の深さ方向分析
P-9 帯電液滴エッチング法を用いたポリイミド・ポリ塩化ビニルフィルムのXPS 深さ方向分析
P-10 ToF-SIMS WG 活動報告 ラウンドロビンテスト08 の結果
P-11 ToF-SIMS ワーキンググループ活動報告
P-12 ファラデーカップの特性も単純ではない
P-13 絶縁体の二次電子収率測定(Ⅰ)パルス一次電子ビームの発生
P-14 パルスイオン照射を用いたMgO 薄膜のイオン誘起二次電子収率測定 [I]
    -膜厚50 nm のMgO 薄膜のイオン誘起二次電子収率-
P-15 パルスイオン照射を用いたMgO 薄膜のイオン誘起二次電子収率測定 [II]
    -膜厚50 及び200 nm のMgO 薄膜-
P-16 深さ分析プロファイルの深さ分解能,界面幅,界面位置はどうやって決めるの?
    [I] -ISO における定義,実用上の課題,標準化に向けての取り組み-
P-17 プロジェクト報告「スペクトル強度分散評価ラウンドロビンテスト:XPS」第1報
P-18 ウスタイトを構成する鉄と炭素の存在比による炭素との反応性の変化
P-19 油圧作動油により生成した潤滑膜の分析
P-20 AES によるステンレス鋼(SUS304,SUS3156)表面自然酸化膜の解析
P-21 低速電子線誘起反応とトンネル反応により合成した炭素薄膜の表面分析
P-22 液相析出法とマイクロ波放電プラズマ加熱法により合成した酸化チタンの表面分析
P-23 コアシェル構造を持つAg-ジアセチレン ナノ粒子の硬Ⅹ線光電子分光およびⅩ線吸収スペクトル解析
P-24 Kr+イオンビーム照射によるキトサンフィルム改質およびその表面解析
P-25 モンテカルロ計算および量子力学的散乱理論によるCuO およびSiO2 の放出深さ分布関数の計算
P-26 量子化学計算による強誘電性PVDF フィルムの電子状態
O-1 帯電液滴衝撃(EDI)エッチング法によるポリマーのSIMS、XPS の深さ方向分析
O-2 低速電子線誘起反応と水素原子の低温トンネル反応による炭素薄膜の極低温合成
O-3 電気化学-光電子分光法並びに電気化学-走査型トンネル顕微鏡を用いた燃料電池反応解析
O-4 光による表面科学へのアプローチ
O-5 マイクロビーム分析に関する標準化の動向と今後の展開(ISO TC202~EPMA を中心に~)
O-6 プロジェクト報告「スペクトル強度分散評価ラウンドロビンテスト」第1報
O-7 XPS WG 報告「Ag 酸化物のX 線照射損傷に関するラウンドロビン試験」
O-8 いろいろな炭素の電子分光
O-9 41 元素固体における IMFP の計算
O-10 Ar クラスターイオンビームを用いたポリイミド薄膜のXPS 深さ方向分析
O-11 COMPRO10 の使用方法